在Flash Memory技術中，顆粒將分為3種：
SLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快壽命長，價格超貴（約MLC 3倍以上的價格），約10萬次讀寫壽命
MLC =Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般壽命一般，價格一般，約3000---10000次讀寫壽命。此為43奈米製程
TLC = Triple-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜，約500次讀寫壽命，技術還在逐漸成長中。此為32/35奈米製程(因35奈米製程無法使用在MicroSD中，故目前已逐漸轉為32奈米製程)
Flash Memory記憶媒體技術
Flash Memory的工作原理：
Flash Memory的物理結構稱為cell(位元)，為何記憶體可提供讀、寫及抹除的效果
因為在Flash Memory中有一般Mos的Gate(閘極)和Gate Oxide(氧化層之絕緣)
而在其中的Control Gate(控制閘)和其他的Gate中卻多了一層物質，稱為Floating Gate(浮閘)
因有這層浮閘，Flash Memory才可以完成讀、寫及抹除的效果
就算Flash Memory在沒有過電的狀態下，也可以透過這層浮閘，來保存資料的完整性
而Flash Memory能夠重複讀寫的原因，是因浮閘中被注入或移除負電子的原理
當浮閘被注入負電子時，在位元中1就會變成0(電子的產品只有0與1兩個數字來分別)，此時就為寫入
相對的，當負電子被從浮閘移除後，位元也就從0變回1了，此過程就稱為抹除
Flash Memory是用Gate端儲存的電壓來儲存資料
每個Cell理所儲存的bit愈多，代表Gate電壓必須可以區分的更細
Gate儲存的電子可能跑掉，電壓逐漸下降， 就可能讓資料錯誤，所以可靠度(寫入次數/保存期限) SLC > MLC > TLC
速度上也以SLC的速度比較快，只是相同容量來比，SLC比較貴
目前的記憶卡，已經逐漸轉為Class 2&4製程(每秒最低速度2MB/sec & 4MB/sec)
因廠商已逐漸轉往TLC發展，且TLC上不了Class 6的速度，且Class 6的IC顆粒價格偏高，更因TLC效能不佳，而無法進入高階市場
TLC與MLC相比，雖然TLC有成本上的優勢，但卻更需要更準確及複雜的控制晶片來確保資料的完整性及保存性
目前所有大廠(包括-三星SamSung/東芝Toshiba/海力士Hynix)都已逐漸轉往TLC發展，所以只能說TLC是未來的趨勢
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快閃記憶體(無論是NOR型或NAND型)是舛岡富士雄博士在1984年於東芝公司工作時發明的。 據東芝表示快閃記憶體的 「Flash」 是舛岡博士的同事所持有泉建議的。因為這種記憶體的抹除流程讓他想起了相機的閃光燈。舛岡博士在1984年的加州舊金山IEEE國際電子元件大會(International Electron Devices Meeting, IEDM)上發表了這項發明。Intel看到了這項發明的巨大潛力，並於1988年推出第一款商業性的NOR Flash晶片。
NOR Flash需要很長的時間進行抹寫，但是它提供完整的定址與資料匯流排，並允許隨機存取記憶體上的任何區域，這使的它非常適合取代老式的ROM晶片。當時ROM晶片主要用來儲存幾乎不需更新的程式碼，例如電腦的BIOS或機上盒(Set-top Box)的韌體。NOR Flash可以忍受一萬到一百萬次抹寫循環，它同時也是早期的可移除式快閃儲存媒體的基礎。CompactFlash本來便是以NOR Flash為基礎的，雖然它之後跳槽到成本較低的 NAND Flash。 東芝在1989年的國際固態電路學會(ISSCC)上發表了NAND Flash。NAND Flash具有較快的抹寫時間, 而且每個儲存單元的面積也較小，這讓NAND Flash相較於NOR Flash具有較高的儲存密度與較低的每位元成本。同時它的可抹除次數也高出NOR Flash十倍。然而NAND Flash 的I/O介面並沒有隨機存取外部定址匯流排，它必須以區塊性的方式進行讀取，NAND Flash典型的區塊大小是數百至數千位元。
因為多數微處理器與微控制器要求位元組等級的隨機存取，所以NAND Flash不適合取代那些用以裝載程式的ROM。從這樣的角度看來，NAND Flash比較像光碟、硬碟這類的次級儲存裝置。NAND Flash非常適合用於記憶卡之類的大量儲存裝置。第一款建立在NAND Flash基礎上的可移除式儲存媒體是SmartMedia，此後許多儲存媒體也跟著採用NAND Flash，包括MultiMediaCard、Secure Digital、Memory Stick與xD卡。
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簡單來說，快閃記憶體是以電荷作用為存儲媒介。電子存儲於懸浮的、與周圍絕緣的閘極上，也就是在控制閘（Control gate）與通道間卻多了一層物質，稱之為懸浮閘極（floating gate）。通常，懸浮閘極與一控制閘極或字線(word line)通過電容耦合，以便在編程、清除及讀出操作時對懸浮閘極上的有效電壓進行控制。懸浮閘極上的電荷決定了下層電晶體的閥值電壓。簡單的說，由於懸浮閘極的物理特性與結構，使得當它被注入負電子時，儲存狀態就由”1”被寫成”0”，相對的，當負電子從浮閘中移走後，儲存狀態就由”0”變成”1”。
關於電荷的生成和存儲有多種實現方法。其中一種為“通道熱電子編程(CHE)”，為目前使用最為廣泛的編程方法。在該方法中，單元電晶體通過施加於其控制閘極上的高電壓被切換導通，同時利用施加於汲極(drain)上的一個中間水平電壓而形成從源極至汲極的電場，使電子獲得加速，這就形成了“熱”電子。
熱電子受控制閘極電勢所形成的垂直電場吸引，被拉向懸浮閘極。簡單的說，就是將在通道中的負電子加速自通道上跳到懸浮閘極中，以完成寫的動作。同樣原理可以運用在抹除的功能上，當控制閘接地且源極接至一個高壓時，浮閘上的負電子將會自浮閘中拉至源極，進而完成抹除的動作。
另一種編程方法為Fowler-Nordheim(FN)通道法。它是在一氧化薄層兩側施加高電壓。高電壓將形成高強度電場，幫助電子穿越氧化層通道、達到懸浮閘極。總之，快閃記憶體就是透過這種負電子存放或移除於浮閘的原理，使得本身具有重複讀寫的特性。
除了直接描述快閃記憶體的儲存原理之外，或許我們還可以透過另一種方式來理解快閃記憶體，就是藉著與其他儲存技術的相比，來描繪快閃記憶體的某些特性。
與不同記憶體技術的比較
首先是與動態隨機存取記憶體(DRAM)來比較，從結構上來比較快閃記憶體與DRAM，簡言之，快閃記憶體外側的絕緣體可以將電子困在結構內部，即使失去電源供應，電子也不會衝出結構之外，因此資料仍然可以在無電源供應的情況下保留。而DRAM的原理就是個充放電的電容，一失去電源的供應，就處於放電的狀態，電子衝出結構之外，資料也就無法保存。因此，在特性上，DRAM屬於揮發性記憶體，為了維持記憶狀態，必須維持供電。如果將它應用在攜帶式裝置，並且用來儲存資料，就必須另外內建備用電池隨時供電，也就是這個原因，使得快閃記憶體比它更適合用在攜帶式裝置上。
與另一種記憶體技術─唯讀記憶體ROM相比，唯讀記憶體同樣具有非揮發性，也屬於高密度，但遜色於快閃記憶體的地方在於無法重複讀寫，因此通常侷限在程式的儲存。之後的EPROM(Electrically Programmable Read-Only Memory)改善了唯讀記憶體無法重新寫入的缺點，EPROM在寫入之後，仍然可以透過紫外線的清除再重新寫入。
之後的EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)可說是快閃記憶體的前身，同樣屬於非揮發性，在寫入之後也如同快閃記憶體，可以透過電來清除，再利用微控制器寫入。但是與後來的快閃記憶體相比，EEPROM的缺點在於一方面容量不大，另一方面由於它的記憶讀寫方式是採取按位元組紀錄的方式，而快閃記憶體則是採取按記憶區段紀錄的方式來讀寫資料，因此速度上比不上快閃記憶體。
再讓我們回到快閃記憶體。
NOR型與NAND型快閃記憶體的差別
目前快閃記憶體業界中已有多種類型的單元，每種都有不同的編程機制與清除機制的組合。最普遍的主要是單電晶體NOR型單元。另一種為NAND型單元。多數NOR單元採用CHE編程和FN擦除法，優點在於速度和快速的編程，缺點是需要閥值電壓來控制被清除的單元。這一點相當重要，因為如果一個單元清除過快，它可能被耗盡(depleted)，這意味著無法對單元再進行選擇和選擇解除，該單元電晶體將一直導通，並妨礙單元陣列的整體功能。
為防止過度清除，需要採用一種特殊的算法來恢復過度清除的單元。這增加了記憶體控制的複雜性，並在清除中需要更多的時間。NOR型快閃記憶體的特點在於速度較快，但容量較小，一般用來儲存程式碼，多半應用於PC、通訊行動電話、PDA、STB等產品上。
NAND單元區別於NOR的地方在於其單元電晶體的序列性切換(series switching)。這種方法可以增加單元密度，但降低了讀出與編程性能。讀出方面是由於單元的序列性切換，而編程方面則是由於FN慢於CHE。這種產品對密度要求較高，而性能不是最重要，通常用於存儲資料。總之，NAND型快閃記憶體的特點又在於容量大、但速度較慢，一般用來儲存資料，主要應用在數位相機、數位攝影機、MP3等所需要的各式規格的小型記憶卡。
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快閃記憶體（Flash Memory）的技術特性
快閃記憶體(Flash Memory)是非掉電易失性記憶體的一種，具有關掉電源仍可保存資料的優點，同時又具備掉電易失性記憶體可重複讀寫且讀寫速度快、單位元體積內可儲存最多資料量，以及低功耗特性等優點。快閃記憶體是電子可擦除唯讀記憶體（EEPROM）的變種，EEPROM與快閃記憶體不同的是，它能在位元組水準上進行刪除和重寫而不是整個晶片擦寫，這樣快閃記憶體就比EEPROM的更新速度快。由於其斷電時仍能保存資料，快閃記憶體通常被用來保存設置資訊，如在電腦的BIOS、PDA、數碼相機中保存資料等。另一方面，快閃記憶體不像RAM以位元組為單位改寫資料，因此不能取代RAM。近年來由於手機、PDA、MP3、DSC等應用系統的帶動，Flash Memory的需求量和容量也有了跳躍式的成長。
Flash Memory的標準物理結構，稱之為基本位元(cell)；一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide)，而Flash Memory的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為“浮閘”(floating gate)的物質。借助這層浮閘，使得Flash Memory可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式；就算在不提供電源給記憶體的環境下，也能透過此浮閘，來保存資料的完整性。
Flash Memory晶片中單格裏的電子可以被帶有更高電壓的電子區還原為正常的Flash Memory採用內部閉合電路，這樣不僅使電子區能夠作用於整個晶片，還可以預先設定“區塊”(Block)。在設定區塊的同時就將晶片中的目標區域擦除乾淨，以備重新寫入。傳統的EEPROM晶片每次只能擦除一個位元組，而Flash Memory每次可讀寫一塊或整個晶片。Flash Memory的工作速度大幅領先於傳統EEPROM晶片。
從技術層面看，根據記憶體電晶體設計架構之不同可分為Cell Type以及Operation Type兩種，後者依功能別又可區分為Code Flash(儲存程式碼)以及Data Flash(儲存一般資料)；其中Code Flash驅動方式有NOR及DINOR，而Data Flash的驅動方式則有NAND及AND。
NOR型與NAND型快閃記憶體的區別很大，打個比方說，NOR型快閃記憶體更像記憶體，有獨立的位址線和資料線，但價格比較貴，容量比較小；而NAND型更像硬碟，位址線和資料線是共用的I/O線，類似硬碟的所有資訊都通過一條硬碟線傳送一般，而且NAND型與NOR型快閃記憶體相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型快閃記憶體比較適合頻繁隨機讀寫的場合，通常用於存儲程式碼並直接在快閃記憶體內運行，手機就是使用NOR型快閃記憶體的大戶，所以手機的“記憶體”容量通常不大；NAND型快閃記憶體主要用來存儲資料，我們常用的快閃記憶體產品，如快閃記憶體盤、數碼存儲卡都是用NAND型快閃記憶體。
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